IT之家 9 月 27 日消息，英国新型非易失性存储器开发商 QuInAs Technology 近日宣布，已经添置和购买了相关设备，希望可以生产出 20nm 原型 UltraRAM。
IT之家此前报道，UltraRAM 是一种“超高效存储”技术，目标是将非易失闪存 NAND、易失性内存 RAM 结合在一起，兼顾能效，具有极高的耐用性。
QuInAs 目前正在积极推进商业化 UltraRAM，声称该技术最高可承受 1000 万次重写循环。在原型获得这项目标之后，公司会进行小规模的试产，并在全球范围内寻求客户。
UltraRAM 由英国兰开斯特大学和华威大学的物理学家开发的，为了推进商业化，于去年冬季成立了 QuInAs Technology 公司，于今年 8 月在闪存峰会上首次亮相。
存储到 UltraRAM 单元中的电荷可以存储 1000 年而不泄露，承诺能效比 DRAM 高 100 倍，比 3D NAND 高 1000 倍。
UltraRAM 的关键在于由砷化铟和锑化铝（InAs / AlSb）制成的创新三层浮动阀，可以确保最大的能源效率和泄漏保护。
在传统的 3D NAND 存储器中，单元中的氧化物浮动栅极逐渐被破坏，而在 UltraRAM 存储器中，三层栅极几乎不受外界影响。
UltraRAM 在执行读取操作时，也使用非破坏性方式完成，电子在共振时穿过三重势垒进入单元，并在擦除过程中以相同的方式退出，使写入过程非常节能，从而实现超长的重写周期数。
为了继续开发 UltraRAM，该公司获得了 Innovate UK 的 ICURe Exploit 基金的资助，有助于进一步推进 UltraRAM 的商业化。
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