在BeligumAntwerpITF World 2023上，英特尔技术开发公司总经理Ann Kelleher分享了英特尔在几个关键领域的最新成果，其中最惊艳的是英特尔将会在未来拥抱堆叠的CFET晶体管。这是英特尔第一次公开展示新型晶体管，但是Kelleher并没有提供产品的生产日期或确切的时间表。
我们可以在幻灯片里看到在新的晶体管上有一个环。在幻灯片底部的前两种晶体管是较旧的变体，2024年的晶体管完全代表了英特尔新的RibbonFET晶体管。英特尔的第一代设计与“英特尔20A”的工艺节点具有四个堆叠节点，每一个都被一扇门完全包围。
Kelleher也展示了英特尔下一代GAA设计——堆叠CFET。CFET晶体管设计在imec研发线路上已经有一段时间了，但英特尔还没有正式展示过它，我们也没有听到过计划采纳这种设计的声明。PS：imec研究所主要研究未来科技，并与其他企业合作，实现产品落地。
当然，英特尔的渲染能力和imec CFET渲染还有一定差异，但英特尔的介绍传达了一点：这款设计允许企业堆叠8个纳米片（这是RibbonFET的两倍），从而增加了晶体管的密度。
CFET晶体管堆叠了N-晶体管和pMOK设备，能实现更高的密度。目前，人们正在研究这两种类型晶体管的单片和顺序。上图右边的四个设备详细介绍了各种研究所提出的CFET设计。目前，依然不清楚英特尔将会采用哪一种设计，或者它是否会设计出另一种类型的实现方式。鉴于imec并没有将CFET纳入2032年芯片缩小到5纳米的计划中，我们可能还需要一些时间才能得到这个答案。
也就是说，并不能保证英特尔一定会将CFET纳入发展计划表中。有意思的是，英特尔此次展示了它的下一代GAA纳米片晶体管(RibbonFET)，然后直接跳到CFET，省略了GAA叉板晶体管这个大多数人认为应该在纳米片和CFET之间的步骤。
可以看到，英特尔的芯片蓝图并不是很清晰，公司也可能在过渡到CFET之前使用叉板晶体管，但英特尔现在还没有分享这些细节。
此外，Kelleher的演讲还涵盖了各种不同的主题，包括随着时间的推移晶体管的成本下降、晶体管的可靠性随着时间的推移增加、日益复杂的封装工艺以及向系统技术转变的共同优化方法对英特尔的设计工作的重要性。
Kelleher的演讲是在imecITF World上进行的，演讲一开始，她向大家讲述了自己与imec的故事：大概在三十年前，她还是学生的时候，第一次来imec工作，。后来，她在imec呆了两年。在过去三十年里，Intel也和imec有着长期合作，并且合作一直持续至今。这种合作使两家公司能够定义下一代软件工具的发展路线，而这些软件工具将会成为驱动世界的芯片。
原文标题：Intel Shows New Stacked CFET Transistor Design At ITF World
原文作者：Paul Alcorn
