三星在半导体存储器行业的领导地位已保持多年，NAND闪存市场已连续二十年位列第一，DRAM市场位居榜首更是长达三十年之久，市场份额均领先竞争对手10%以上。据BusinessKorea报道，随着其他厂商开始在DRAM和NAND闪存市场发力，威胁到三星的技术领先位置。
美光在去年5月宣布推出业界首款232层的3DTLCNAND闪存，并在2022年末开始生产，其采用了CuA架构，使用NAND的字符串堆叠技术，初始容量为1Tb（128GB）。到了8月，长江存储发布了基于晶栈3.0（Xtacking3.0）架构的第四代3DTLC闪存芯片，名为X3-9070。在同一个月，SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，并已经向合作伙伴发送238层512GbTLC4DNAND闪存的样品。
相比之下，三星到了去年11月，才开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为236层的1Tb（128GB）TLC3DNAND闪存芯片。与此同时，长江存储的X3-9070早已量产，用在零售市场多款产品上。
截止2022年第三季度，三星DRAM市场份额为40.6%，SK海力士为29.9%，美光为24.8%。在NAND闪存市场，三星的市场份额为31.6%，铠侠为21.1%，SK海力士为19%，西部数据为12.4%，美光为11.8%。尽管市场份额看起来差距很大，但竞争对手正在侵蚀三星的技术主导地位。
有业内人士表示，长江存储的232层NAND闪存质量出乎意料地高，因此三星非常关注。三星在内存市场也受到了后来者的追逐，步步逼近，加上台积电在晶圆代工业务遥遥领先，三星正面临巨大的挑战。
